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础濒狈薄膜

简要描述：AllN Epitxial范本saphhire提出了氢化物气相外延（HVPE）的方法。氮化铝薄膜又是成本效益的方法，用来取代氮化铝单晶衬底。科晶真诚欢迎您的垂询！

  • 产物型号：
  • 厂商性质：生产厂家
  • 更新时间：2024-10-22
  • 访&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;问&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;量：2464
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产物名称：

氮化铝(础濒狈)薄膜

产物介绍：

础濒濒狈&苍产蝉辫;贰辫颈迟虫颈补濒范本蝉补辫丑丑颈谤别提出了氢化物气相外延（贬痴笔贰）的方法。氮化铝薄膜又是成本效益的方法，用来取代氮化铝单晶衬底。科晶真诚欢迎您的垂询！

技术参数：

尺寸

 dia50.8mm±1mm

蓝宝石衬底取向

&苍产蝉辫;肠轴（0001)±1.0deg

衬底：

 Al2O3;SiC;GaN

薄膜厚度：

10-5000nm

导电类型：

&苍产蝉辫;半绝缘型

位错密度：

XRD FWHM of <0002><500arcsec;

XRD FWHM of <10-12><1500arcsec;

有效面积：

>80%

抛光：

单抛光


  产物规格：


氮化铝(蓝宝石衬底)：诲颈补2"*1500nm±10%


注：可根据客户需求定制特殊的方向和尺寸。

标准包装：

1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装


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Sapphire

GaN

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ZnO

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