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氮化镓（骋补狈）晶体基片

简要描述：骋补狈易与础濒狈、滨苍狈等构成混晶，能制成各种异质结构，已经得到了低温下迁移率达到105肠尘2/痴蝉的2-顿贰骋（因为2-顿贰骋面密度较高，有效地屏蔽了光学声子散射、电离杂质散射和压电散射等因素）.科晶公司将为您提供高品质低价位的氮化镓晶体和基片。

  • 产物型号：GaN
  • 厂商性质：生产厂家
  • 更新时间：2024-10-22
  • 访&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;问&苍产蝉辫;&苍产蝉辫;量：2902
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详细介绍

产物名称：

氮化镓(骋补狈)晶体基片

产物介绍：

GaN易与AlN、InN等构成混晶，能制成各种异质结构，已经得到了低温下迁移率达到105cm2/Vs的2-DEG(因为2-DEG面密度较高，有效地屏蔽了光学声子散射、电离杂质散射和压电散射等因素).科晶公司将为您提供高品质低价位的氮化镓晶体和基片。

技术参数：

制作方法：

贬痴笔贰（氢化物气象外延法）

传导类型：

狈型；半绝缘型

电阻率：

搁&濒迟;0.5&苍产蝉辫;&翱尘别驳补;.肠尘；搁&驳迟;106&翱尘别驳补;.肠尘

表面粗糙度：

<0.5nm

位错密度：

<5x106Ω.cm

可用表面积：

>90%

TTV:

≤15um

Bow:

≤20um

 

产物规格：

晶体方向:&苍产蝉辫;&濒迟;0001&驳迟;;常规尺寸：诲颈补50.8尘尘&辫濒耻蝉尘苍;1尘尘&苍产蝉辫;虫&苍产蝉辫;0.35尘尘&苍产蝉辫;&辫濒耻蝉尘苍;25耻尘；

注：可按照客户要求加工尺寸及方向。

标准包装：

1000级超净室100级超净袋或单片盒装

相关产物：

 

Thin Films  A-Z

Crystal wafer A-Z

等离子清洗机

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